我院物理学研究生在低维合金半导体材料介电常数研究方面取得进展

我院2019级物理学研究生刘进以“Size and Strain Modulation of Dielectric Constant on Atomic Bond Relaxation”为题在Journal of Physics D: Applied Physics (IF=3.4)期刊上发表论文。该研究工作提出了一种描述过渡金属二维硫族化合物半导体介电常数尺寸和应变依赖性的解析新方法。本研究基于局部键平均近似(LBA)方法，获得了不同应变条件下的介电常数，阐明了键长、键能、力常数和介电常数之间的关联性。该研究工作对晶体尺寸和外加应变的介电响应提供了新的物理机制。

该研究工作以吉首大学为第一单位，刘进为论文第一作者，导师杨学弦副教授为通讯作者发表。研究工作得到了国家自然科学基金 (Nos. 11602094，11964010)、湖南省自然科学基金(No. 2022JJ30470)、湖南省教育厅科研基金 (No. 22B0526)和国家公派留学基金项目(No. 202008430239)的资助。

论文链接：https://doi.org/10.1088/1361-6463/aced11.

The relationship between in-plane uniaxial and biaxial bond-stretching force constant (k_uni and k_bi) of monolayer 2H-TMDs.

(a) Theoretical (solid lines) reproduction of the measured or simulated (scattered dots) in-plane size dependent-dielectric constant. (b) In-plane uniaxial and biaxial tensile strain effects of dielectric constant.

（审核责任人 伍建华）